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    更新時(shí)間：2020-06-23

    型號：BTF-1200C-S-SL-CVD

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    非氣態(tài)源化學(xué)氣相沉積系統 1.前驅體灌溫度可達400℃； 2.溫度獨立可調； 3.固態(tài)或液態(tài)前驅體在一定溫度下蒸發(fā)后通過(guò)惰性氣體帶入反應區域參與的一些CVD反應。
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    型號：BTF-1200C-S-PECVD

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    更新時(shí)間：2019-11-06

    型號：BTF-1200C-LH-CVD

    瀏覽量：1979

    流化床CVD系統—化學(xué)氣相沉積法可控及批量制備碳納米管設備，該設備包括有：自動(dòng)加液裝置、超聲波霧化發(fā)生裝置、氣體供應裝置、氣體流量控制裝置、三溫區流化床反應器及加熱裝置、旋風(fēng)分離器、固體收集裝置、凈化處理裝置。
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    更新時(shí)間：2024-06-25

    型號：BTF-1200C-II-SL-

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    二維材料設備CVD系統前端配有可加熱到400℃的預加熱器，輔助二維材料蒸發(fā)，后端為雙溫區管式爐，溫度控制精確，操作簡(jiǎn)便。并配質(zhì)量流量計系統和真空系統，可以準確的反應腔體內部的氣體壓力和氣體流量，對于做低壓CVD實(shí)驗非常實(shí)用，重復性好。
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